| 型号： | IPD65R600E6 | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Infineon Technologies | 描述： | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| IPD65R600E6 PDF |  |
| 产品培训模块 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | CoolMOS™ |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 7.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 600 毫欧 @ 2.1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3.5V @ 210µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 440pF @ 100V |
| 功率 - 最大 | 63W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装 | PG-TO252-3 |
| 包装 | 标准包装 |
| 其它名称 | IPD65R600E6DKR |